दुनिया को सितंबर या अक्टूबर के महीने में पहली ‘मेड इन इंडिया’ सेमीकंडक्टर चिप मिलने जा रही है. इस बात की जानकारी खुद आईटी मिनिस्ट अश्विनी वैष्णव ने दी है. टाटा इलेक्ट्रॉनिक्स पावरचिप सेमीकंडक्टर मैन्युफैक्चरिंग कॉरपोरेशन (पीएसएमसी) के साथ पार्टनरशिप में गुजरात के धोलेरा में देश का पहला सेमीकंडक्टर फैब बना रहा है. आइए आपको भी बताते हैं कि आखिर सरकार की ओर सेमीकंडक्टर को किस तेजी के साथ काम कर रहा है.
अक्टूबर तक मिलेगी पहली चिप
आईटी मिनिस्टर अश्विनी वैष्णव ने केंद्रीय बजट 2025 की घोषणाओं पर एक संवाददाता सम्मेलन में कहा देश ही नहीं पूरी दुनिया को मेड इन इंडिया सेमीकंडक्टर सितंबर या फिर अक्टूबर में पहली चिप मिल जाएगी. इसके लिए धोलेरा के प्लांट में काम चल रहा है. उन्होंने का कि टाटा ग्रुप की कंपनी टाटा इलेक्ट्रॉनिक्स और पावरचिप सेमीकंडक्टर मैन्युफैक्चरिंग कॉरपोरेशन एक साथ इस पर पार्टनरशिप में काम कर रहे हैं. इस यूनिट की शुरुआत मार्च 2024 में की गई थी. ये देश का पहला सेमीकंडक्टर प्लांट है. उस वक्त कहा गया था कि देश में साल 2026 के एंड तक चिप बनकर तैयार हो जाएगी. लेकिन अश्विनी वैष्णव के बयान के बाद साफ जाहिर हो रहा है कि पहले की प्लानिंग से इतर देश की एक साल पहले ही मेड इन इंडिया चिप मिलने जा रही है.
टाटा ग्रुप ने किया है 91 हजार करोड़ का निवेश
मार्च 2024 की रिपोर्ट के अनुसार टाटा ग्रुप ने 91,000 करोड़ रुपए का निवेश करके देश का पहला मेगा सेमीकंडक्टर फैब प्लांट स्थापित करने के लिए धोलेरा में लगभग 160 एकड़ जमीन रिजर्व की है. केंद्र और राज्य दोनों प्राधिकरणों से सरकारी सब्सिडी से प्रोजेक्ट एक्सपेंडिचर का 70 प्रतिशत तक कवर होने का अनुमान लगाया गया था. जिससे धोलेरा फैसिलिटी भारत का प्रमुख कमर्शियल सेमीकंडक्टर फैब बन सके. टाटा इलेक्ट्रॉनिक्स और पीएसएमसी के बीच इस वेंचर से डायरेक्ट और इनडायरेक्ट रूप से लगभग 20,000 स्किल जॉब जेनरेट होने का अनुमान लगाया गया था. इसके अलावा टाटा ग्रुप ने धोलेरा में अपनी सेमीकंडक्टर सुविधा के लिए ताइवानी फर्म पावरचिप सेमीकंडक्टर मैन्युफैक्चरिंग कॉरपोरेशन पार्टनरशिप की है.
गैलेनियम पर हो रहा है काम
वैष्णव ने केंद्रीय बजट 2025 की घोषणाओं पर एक संवाददाता सम्मेलन में कहा कि सरकार ने भारतीय विज्ञान संस्थान (आईआईएससी), बेंगलुरु को “गैलियम नाइट्राइड में नए आरएंडडी के लिए, सेमीकंडक्टर में एक तकनीक, जिसका यूज टेलीकॉम और बिजली में किया जाता है, के लिए 334 करोड़ रुपए दिए हैं. उन्होंने कहा, सरकार जल्द ही कंपोनेंट्स के लिए प्रोडक्शन-लिंक्ड इंसेंटिव्स (पीएलआई) स्कीम लेकर आएगी.
आईआईएससी ने अपनी वेबसाइट पर कहा कि गैलियम नाइट्राइड (जीएएन) को भारत के लिए सेमीकंडक्टर्स के विशिष्ट क्षेत्र में अपनी उपस्थिति दर्ज कराने का अवसर माना जा रहा है क्योंकि टेक्नोलॉजी अभी भी विकसित हो रही है और फाउंड्री स्थापित करना सिलिकॉन की तुलना में कम महंगा है. आईआईएससी फैकल्टी मेंबर्स सदस्यों के एक ग्रुप ने भारत का पहला ई-मोड GaN पावर ट्रांजिस्टर विकसित किया है, जिसका प्रदर्शन अब तक रिपोर्ट किए गए कुछ सर्वश्रेष्ठ के बराबर है. साइट का दावा है कि GaN “उच्च पॉवर और हाई फ्रिक्वेंसी अनुप्रयोगों के लिए बेहतर अनुकूल है.
अब आईएसएम 2 की तैयारी
वैष्णव ने कहा कि भारत में हाल के दिनों में इलेक्ट्रॉनिक्स मैन्युफैक्चरिंग सेक्टर में 13,162 करोड़ रुपए का निवेश हुआ है और कई और निवेश आने वाले हैं. उन्होंने कहा, वर्तमान में 234 यूनिवर्सिटीज में छात्रों को नवीनतम सेमीकंडक्टर डिजाइन उपकरण दिए जा रहे हैं. वैष्णव ने कहा कि आईटी मंत्रालय भारत सेमीकंडक्टर मिशन (आईएसएम) 1.0 को पूरा करने के लिए उद्योग के साथ काम कर रहा है, जिसमें सेमीकंडक्टर लैब, मोहाली का आधुनिकीकरण अभी भी लंबित है. उन्होंने कहा, एक बार यह पूरा हो जाए तो मंत्रालय आईएसएम 2.0 की मंजूरी पर काम करेगा. उन्होंने कहा कि कैबिनेट की मंजूरी के बाद आईएसएम 2.0 के लिए बजटीय आवंटन का खुलासा किया जाएगा.
